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电子元器件详细资料 » IC[20231] » IPB120N04S3-02
型号:IPB120N04S3-02类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C120A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C2 毫欧 @ 80A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 230µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs210nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds14300pF @ 25V
功率_最大300W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3
包装带卷 (TR)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳诚思涵科技有限公司朱先生0755-83015506-23947236
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